|
|
2N6766 силиконовый N-MOSFET транзистор | | UDS | 200V | | IDS DC/AC | 30A / 120A | UGS | ±20V | RDS(ON) | <85mΩ/19A | Ptot | 150W | TON+rise|TOFF+fall | 35+190|170+130nS | Рисунок: | - | источник: | datasheet | | подробная информация 2N6766 | OEM: | Internationa... [еще] International Rectifier Corp. USA | Корпус: | TO-204AA | Лист технических данных (jpg): | открыть | Лист технических данных (pdf): | - | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара: | - | Список аналогов: ↑ | IRF250 | искать аналог: | искать аналог | | поиск по детали: | поиск |
|
2N6766 силиконовый N-MOSFET транзистор | | UDS | 200V | | IDS DC/AC | 30A / 120A | UGS | ±20V | RDS(ON) | <85mΩ/19A | Ptot | 150W | TON+rise|TOFF+fall | 35+190|170+130nS | Рисунок: | - | источник: | datasheet | | | подробная информация 2N6766 | OEM: | Internationa... [еще] International Rectifier Corp. USA | Корпус: | TO-204AA | Лист технических данных (jpg): | открыть | Лист технических данных (pdf): | - | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара: | - | Список аналогов: ↑ | IRF250 | искать аналог: | искать аналог | | поиск по детали: | поиск |
|
2N6766 силиконовый N-MOSFET транзистор | | UDS | 200V | | IDS DC/AC | 30A / 120A | UGS | ±20V | RDS(ON) | <85mΩ/19A | Ptot | 150W | TON+rise|TOFF+fall | 35+190|170+130nS | Рисунок: | - | источник: | datasheet | | подробная информация 2N6766 | OEM: | Internationa... [еще] International Rectifier Corp. USA | Корпус: | TO-204AA | Лист технических данных (jpg): | открыть | Лист технических данных (pdf): | - | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара: | - | Список аналогов: ↑ | IRF250 | искать аналог: | искать аналог | | поиск по детали: | поиск |
|
|
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией
| |
IRF250 силиконовый N-MOSFET транзистор similar to 2N6766, see note | | UDS | 200V | | IDS DC/AC | 30A / 120A | UGS | ±20V | RDS(ON) | <85mΩ/16A | Ptot | 150W | TON+rise|TOFF+fall | 85+80|140+50nS | Рисунок: | - | источник: | SGS Thomson Power MOS Dev...... [еще] SGS Thomson Power MOS Devices 2nd Ed. 1992 Databook | | |
IRF250 силиконовый N-MOSFET транзистор similar to 2N6766, see note | | UDS | 200V | | IDS DC/AC | 30A / 120A | UGS | ±20V | RDS(ON) | <85mΩ/16A | Ptot | 150W | TON+rise|TOFF+fall | 85+80|140+50nS | Рисунок: | - | источник: | SGS Thomson Power MOS Dev...... [еще] SGS Thomson Power MOS Devices 2nd Ed. 1992 Databook | | | |
IRF250 силиконовый N-MOSFET транзистор similar to 2N6766, see note | | UDS | 200V | | IDS DC/AC | 30A / 120A | UGS | ±20V | RDS(ON) | <85mΩ/16A | Ptot | 150W | TON+rise|TOFF+fall | 85+80|140+50nS | Рисунок: | - | источник: | SGS Thomson Power MOS Dev...... [еще] SGS Thomson Power MOS Devices 2nd Ed. 1992 Databook | | |
|
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией